EPC2106ENGRT - EPC - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

簡潔な

BYCHIPSは、 EPC2106ENGRT、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください EPC2106ENGRTをメールでお送りします。

購入 EPC2106ENGRTとBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 600µA
サプライヤデバイスパッケージ:	Die
シリーズ:	eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	70 mOhm @ 2A, 5V
電力 - 最大:	-
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	Die
他の名前:	917-EPC2106ENGRTR
運転温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	EPC2106ENGRT
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	75pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	0.73nC @ 5V
FETタイプ:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長:	GaNFET (Gallium Nitride)
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	1.7A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
EPC2103ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2105ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2108ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2100ENGRT	EPC	MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2110ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2103ENGRT	EPC	TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V	オンラインお問い合わせ
EPC2101ENGRT	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	オンラインお問い合わせ
EPC2107ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2104ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2100ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2104ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 100V 23A DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2101ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2102ENGRT	EPC	MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2102ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2105ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ