EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
部品型番:
EPC2110ENGRT
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14376 Pieces
データシート:
EPC2110ENGRT.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 700µA
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):60 mOhm @ 4A, 5V
電力 - 最大:-
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:Die
他の名前:917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:EPC2110ENGRT
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:80pF @ 60V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:0.8nC @ 5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特長:GaNFET (Gallium Nitride)
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
ソース電圧(VDSS)にドレイン:120V
説明:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3.4A
Email:[email protected]

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