購入 EPC2110ENGRTとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 700µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | Die |
シリーズ: | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 60 mOhm @ 4A, 5V |
電力 - 最大: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | Die |
他の名前: | 917-EPC2110ENGRTR EPC2110ENGR |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | EPC2110ENGRT |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 80pF @ 60V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 0.8nC @ 5V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET特長: | GaNFET (Gallium Nitride) |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 120V |
説明: | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.4A |
Email: | [email protected] |