EPC2105ENGRT - EPC - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 2.5mA
サプライヤデバイスパッケージ:	Die
シリーズ:	eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	14.5 mOhm @ 20A, 5V
電力 - 最大:	-
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	Die
他の名前:	917-EPC2105ENGRTR
運転温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	EPC2105ENGRT
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	300pF @ 40V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	2.5nC @ 5V
FETタイプ:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長:	GaNFET (Gallium Nitride)
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	80V
説明:	MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	9.5A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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EPC2102ENGRT	EPC	MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE	オンラインお問い合わせ
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