購入 EPC2108ENGRTとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 200µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | Die |
シリーズ: | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 190 mOhm @ 2.5A, 5V |
電力 - 最大: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | Die |
他の名前: | 917-EPC2108ENGRTR |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | EPC2108ENGRT |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 22pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 0.22nC @ 5V |
FETタイプ: | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET特長: | GaNFET (Gallium Nitride) |
拡張された説明: | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount Die |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V, 100V |
説明: | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 1.7A, 500mA |
Email: | [email protected] |